Методика HKMG основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Процессор Exynos 4 Quad изготавливается по 32-нанометровой технологии; тактовая частота превышает 1,4 ГГц.
По заявлениям Samsung, по сравнению с 45-нанометровым двухъядерным чипом Exynos 4 Dual новое изделие обеспечивает двукратное увеличение быстродействия при 20-процентном снижении энергопотребления.
В состав Exynos 4 Quad входят аппаратный движок ускорения обработки видео высокой чёткости (1080р) и блок обработки изображений. Предусмотрены средства динамического управления напряжением питания и частотой вычислительных ядер, а также возможность их отключения в зависимости от нагрузки. Размеры процессора — 12x12x1,37 мм.
Exynos 4 Quad найдёт применение в высокопроизводительных смартфонах и планшетных компьютерах. Samsung отмечает, что новый чип положен в основу коммуникатора Galaxy следующего поколения, анонс которого состоится в мае.
Комментариев нет:
Отправить комментарий