Изделия Wide IO Mobile RAM производятся по 30-нанометровой технологии. Утверждается, что они обеспечивают вчетверо более высокую пропускную способность по сравнению с модулями DDR2 Mobile RAM (LPDDR2) — до 12,8 Гб/с. При сопоставимом быстродействии достигается 50-процентное снижение потребляемой энергии.
30-нанометровые модули LPDDR3 обеспечивают скорость передачи данных до 6,4 Гб/с, что вдвое больше по сравнению с LPDDR2. В конфигурации из двух микросхем этот показатель возрастает до 12,8 Гб/с. При сопоставимом с LPDDR2 быстродействии микросхемы LPDDR3 позволяют добиться 25-процентного снижения потребляемой энергии.
Ожидается, что модули памяти нового поколения найдут применение в планшетных компьютерах, коммуникаторах и других портативных устройствах.
Массовое производство четырёхгигабитных микросхем Wide IO Mobile RAM и LPDDR3 намечено на 2012 год. Кроме того, Elpida планирует представить модули ёмкостью 8 и 16 Гбит.
Комментариев нет:
Отправить комментарий